STMicroelectronics, IGBT, N-Kanal, 40 A 650 V, 3 Ben, TO-247 1

Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
202-5516
Producentens varenummer:
STGWA40H65DFB2
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

IGBT

Kanaltype

N

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. (Ic)

40 A

Kollektor emitter spænding maks. (Vceo)

650 V

Benantal

3

Emballagetype

TO-247

Antal transistorer

1

Portsenderspænding maks.

20 V

The STMicroelectronics high-speed HB2 series IGBT represents an evolution of the Advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Positive VCE(sat) temperature coefficient

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.