STGWA40H65DFB2, IGBT, N-Kanal, 40 A 650 V, 3 ben, TO-247 1 Fælles emitter

Se alle IGBT
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
202-5517
Producentens varenummer:
STGWA40H65DFB2
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

40 A

Kollektor emitter spænding maks.

650 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Antal transistorer

1

Effektafsættelse maks.

230 W

Kapslingstype

TO-247

Kanaltype

N

Benantal

3

Transistorkonfiguration

Fælles emitter

STMicroelectronics HB2 serien IGBT med høj hastighed repræsenterer en udvikling af Advanced proprietære Trench gate feltstop struktur. HB2-seriens ydeevne er optimeret med hensyn til overledning, takket være en bedre VCE(sat) adfærd ved lave strømværdier samt med hensyn til reduceret switching-energi.

Stram parameterfordeling
Lav termisk modstand
Positiv VCE(sat) temperaturkoefficient

Relaterede links