Infineon, IGBT, Type N-Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Hulmontering

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 4 enheder)*

Kr. 96,572

(ekskl. moms)

Kr. 120,716

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 13. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
4 - 16Kr. 24,143Kr. 96,57
20 - 36Kr. 21,73Kr. 86,92
40 - 96Kr. 20,29Kr. 81,16
100 - 196Kr. 18,83Kr. 75,32
200 +Kr. 17,653Kr. 70,61

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
110-7425
Producentens varenummer:
IGW40N65F5FKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

IGBT

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

74A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

650V

Effektafsættelse maks. Pd

250W

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Portsenderspænding maks.

±30 V

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.1V

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

JEDEC, RoHS, Pb-free lead plating

Serie

TrenchStop

Nominel energi

0.46mJ

Bilindustristandarder

Nej

Infineon TrenchStop IGBT-transistorer, 600 og 650 V


En serie af IGBT-transistorer fra Infineon med mærkespænding for kollektor-emitter på 600 og 650 V med TrenchStop™-teknologi. Serien omfatter enheder med integreret højhastigheds, anti-parallel diode med hurtig gendannelse.

• Spændingsområde for kollektor-emitter 600 til 650 V

• Meget lav VCEsat

• Lille tab ved slukning

• Kort efterstrøm

• Lav EMI

• Maksimal junction-temperatur 175 °C

IGBT diskrete halvledere og moduler, Infineon


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links