IXGH30N120B3D1, IGBT, 50 A 1200 V, 3 ben, TO-247 Enkelt

Se alle IGBT

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 2.274,90

(ekskl. moms)

Kr. 2.843,70

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 300 enhed(er) afsendes fra 10. november 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Pr stk.
Pr rør*
30 +Kr. 75,83Kr. 2.274,90

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-4412
Producentens varenummer:
IXGH30N120B3D1
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

50 A

Kollektor emitter spænding maks.

1200 V

Kapslingstype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Transistorkonfiguration

Enkelt

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Driftstemperatur min.

-55 °C

IGBT diskrete, IXYS



IGBT diskrete halvledere og moduler, IXYS


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links