IXYS, IGBT, N-Kanal, 50 A 1.2 kV 160 ns, 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- RS-varenummer:
- 168-4412
- Producentens varenummer:
- IXGH30N120B3D1
- Brand:
- IXYS
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 1.514,43
(ekskl. moms)
Kr. 1.893,03
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 300 enhed(er) afsendes fra 26. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 + | Kr. 50,481 | Kr. 1.514,43 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-4412
- Producentens varenummer:
- IXGH30N120B3D1
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 50A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 1.2kV | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 3 | |
| Switching-hastighed | 160ns | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 3.5V | |
| Portsenderspænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Serie | Mid-Frequency | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 50A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 1.2kV | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 3 | ||
Switching-hastighed 160ns | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 3.5V | ||
Portsenderspænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Serie Mid-Frequency | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
IGBT diskrete, IXYS
IGBT diskrete halvledere og moduler, IXYS
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Relaterede links
- IXYS N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- IXYS N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- IXYS N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- IXYS N-Kanal 3 Ben, TO-268 Hulmontering
- IXYS N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- IXYS N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- IXYS N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- IXYS N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering