IXYS, IGBT-modul, Type N-Kanal, 360 A 1200 V, 11 Ben, SimBus F Printmontering 2

Se alle IGBT

Indhold (1 æske af 3 enheder)*

Kr. 2.854,479

(ekskl. moms)

Kr. 3.568,098

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder
Per stk.
Pr æske*
3 +Kr. 951,493Kr. 2.854,48

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-4565
Producentens varenummer:
MIXA225PF1200TSF
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

360A

Produkttype

IGBT-modul

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

1200V

Antal transistorer

2

Effektafsættelse maks. Pd

1100W

Emballagetype

SimBus F

Monteringstype

Printmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

11

Portsenderspænding maks.

±30 V

Min. driftstemperatur

150°C

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

1.8V

Driftstemperatur maks.

-40°C

Serie

MIXA225PF1200TSF

Bredde

62 mm

Højde

17mm

Længde

152mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
DE

IGBT moduler, IXYS


IGBT diskrete halvledere og moduler, IXYS


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links