IXYS, IGBT-modul, N-Kanal, 360 A 1.2 kV, 11 Ben, SimBus F Printmontering 2
- RS-varenummer:
- 168-4565
- Producentens varenummer:
- MIXA225PF1200TSF
- Brand:
- IXYS
Indhold (1 æske af 3 enheder)*
Kr. 2.854,48
(ekskl. moms)
Kr. 3.568,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 02. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr æske* |
|---|---|---|
| 3 + | Kr. 951,493 | Kr. 2.854,48 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-4565
- Producentens varenummer:
- MIXA225PF1200TSF
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 360A | |
| Produkttype | IGBT-modul | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 1.2kV | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1100W | |
| Antal transistorer | 2 | |
| Emballagetype | SimBus F | |
| Monteringstype | Printmontering | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 11 | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Portsenderspænding maks. | ±30 V | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 1.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Serie | MIXA225PF1200TSF | |
| Bredde | 62mm | |
| Højde | 17mm | |
| Længde | 152mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 360A | ||
Produkttype IGBT-modul | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 1.2kV | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1100W | ||
Antal transistorer 2 | ||
Emballagetype SimBus F | ||
Monteringstype Printmontering | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 11 | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Portsenderspænding maks. ±30 V | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 1.8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Serie MIXA225PF1200TSF | ||
Bredde 62mm | ||
Højde 17mm | ||
Længde 152mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
IGBT moduler, IXYS
IGBT diskrete halvledere og moduler, IXYS
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.