Vishay, IGBT, Type P-Kanal, 3 Ben, TO-252 Overflade
- RS-varenummer:
- 180-7411
- Producentens varenummer:
- SUD08P06-155L-GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om denne vare kommer på lager igen – den er ved at blive udfaset af producenten
- RS-varenummer:
- 180-7411
- Producentens varenummer:
- SUD08P06-155L-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | IGBT | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 20.8W | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Kanaltype | Type P | |
| Benantal | 3 | |
| Portsenderspænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 2.38mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS-compliant | |
| Bredde | 6.73mm | |
| Længde | 6.22mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype IGBT | ||
Effektafsættelse maks. Pd 20.8W | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Kanaltype Type P | ||
Benantal 3 | ||
Portsenderspænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 2.38mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS-compliant | ||
Bredde 6.73mm | ||
Længde 6.22mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET er en P-kanal, TO-252-3 pakke, som er et nyt produkt i en alder med en drænkildespænding på 60 V og en maksimal gate-source spænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 52 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. MOSFET har et maksimalt effekttab på 20,8 W. Den kan bruges i belastningsafbrydere til bærbare enheder. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• halogen- og blyfrit (Pb) komponent
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• TrenchFET Power MOSFET