Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, SUD50P06-15
- RS-varenummer:
- 152-6380
- Producentens varenummer:
- SUD50P06-15-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 113,55
(ekskl. moms)
Kr. 141,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 45 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 205 enhed(er) afsendes fra 22. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 22,71 | Kr. 113,55 |
| 50 - 120 | Kr. 20,45 | Kr. 102,25 |
| 125 - 245 | Kr. 19,314 | Kr. 96,57 |
| 250 - 495 | Kr. 17,054 | Kr. 85,27 |
| 500 + | Kr. 15,902 | Kr. 79,51 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 152-6380
- Producentens varenummer:
- SUD50P06-15-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | SUD50P06-15 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 28mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 113W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 110nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.6V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 2.38mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie SUD50P06-15 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 28mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 113W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 110nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.6V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 2.38mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
TrenchFET® Power MOSFET
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-252, SUD50P06-15
- onsemi Type P-Kanal 15.5 A 60 V Forbedring TO-252
- Toshiba Type P-Kanal 15 A 40 V Forbedring TO-252
- Vishay Type P-Kanal 5.1 A 60 V Forbedring TO-252, IRFR
- onsemi Type P-Kanal 12 A 60 V Forbedring TO-252, QFET
- onsemi Type P-Kanal 9.4 A 60 V Forbedring TO-252, QFET
- STMicroelectronics Type P-Kanal 10 A 60 V Forbedring TO-252, STripFET
- Infineon Type P-Kanal 15 A 100 V Forbedring TO-252, SPD15P10P