Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 11 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, SQ Rugged AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 145-2756
- Producentens varenummer:
- SQD19P06-60L_GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*
Kr. 7.540,00
(ekskl. moms)
Kr. 9.420,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 8.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | Kr. 3,77 | Kr. 7.540,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 145-2756
- Producentens varenummer:
- SQD19P06-60L_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | SQ Rugged | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 125mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 46W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.5V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 27nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.38mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie SQ Rugged | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 125mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 46W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.5V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 27nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.38mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
P-kanal MOSFET, SQ robust serie, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay P-Kanal 11 A 60 V DPAK (TO-252), SQ Rugged SQD19P06-60L_GE3
- Vishay P-Kanal 37 A 30 V DPAK (TO-252), SQ Rugged SQD45P03-12_GE3
- Vishay N-Kanal 25 A 60 V DPAK (TO-252), SQ Rugged AEC-Q101 SQD25N06-22L_GE3
- Vishay N-Kanal 40 A 60 V DPAK (TO-252), SQ Rugged AEC-Q101 SQD40N06-14L_GE3
- Vishay N-Kanal 40 A 60 V DPAK (TO-252), SQ Rugged AEC-Q101 SQD40N06-14L-GE3
- Vishay N-Kanal 100 A 40 V DPAK (TO-252), SQ Rugged AEC-Q101 SQD100N04-3M6L_GE3
- Vishay N-Kanal 50 A 50 V DPAK (TO-252), SQ Rugged AEC-Q101 SQD50N05-11L_GE3
- Vishay N-Kanal 50 A 40 V DPAK (TO-252), SQ Rugged AEC-Q101 SQD50N04-4M5L-GE3