Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 4.7 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SiHF9Z14S
- RS-varenummer:
- 165-6090
- Producentens varenummer:
- SIHF9Z14S-GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 165-6090
- Producentens varenummer:
- SIHF9Z14S-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SiHF9Z14S | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 500mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 43W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -5.5V | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.83mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 9.65mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SiHF9Z14S | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 500mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 43W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -5.5V | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.83mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 9.65mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, 30 V til 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 4.7 A 60 V Forbedring TO-263, SiHF9Z14S
- Vishay Type P-Kanal 150 A 80 V Forbedring TO-263, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 4 A 200 V Forbedring TO-263, SiHF9630S
- Vishay Type P-Kanal 13 A 100 V Forbedring TO-263, SiHF9540S
- Vishay Type P-Kanal 2 A 200 V Forbedring TO-263, SiHF9620S
- onsemi Type P-Kanal 27 A 60 V Forbedring TO-263, QFET
- Vishay Type P-Kanal 110 A 60 V Forbedring TO-263
- onsemi Type P-Kanal 47 A 60 V Forbedring TO-263, QFET