Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 4.7 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SiHF9Z14S Nej
- RS-varenummer:
- 165-6090
- Producentens varenummer:
- SIHF9Z14S-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 222,60
(ekskl. moms)
Kr. 278,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 4,452 | Kr. 222,60 |
| 100 - 200 | Kr. 4,184 | Kr. 209,20 |
| 250 - 450 | Kr. 3,78 | Kr. 189,00 |
| 500 - 1200 | Kr. 3,562 | Kr. 178,10 |
| 1250 + | Kr. 3,339 | Kr. 166,95 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-6090
- Producentens varenummer:
- SIHF9Z14S-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | SiHF9Z14S | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 500mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -5.5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 43W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 9.65 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.83mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie SiHF9Z14S | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 500mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -5.5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 43W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 9.65 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.83mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, 30 V til 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay P-Kanal 4 3 ben, D2PAK (TO-263) SIHF9Z14S-GE3
- Vishay P-Kanal 4 A 200 V D2PAK (TO-263) SIHF9630STRL-GE3
- Vishay P-Kanal 13 A 100 V D2PAK (TO-263) SIHF9540STRL-GE3
- Vishay P-Kanal 2 A 200 V D2PAK (TO-263) SIHF9620S-GE3
- Vishay P-Kanal 150 A 80 V D2PAK (TO-263), TrenchFET SUM60061EL-GE3
- Infineon P-Kanal 100 A 60 V D2PAK (TO-263) IPB110P06LMATMA1
- onsemi P-Kanal 27 A 60 V D2PAK (TO-263) FQB27P06TM
- onsemi P-Kanal 47 A 60 V D2PAK (TO-263) FQB47P06TM-AM002
