Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 50 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, SUD50P04-08 Nej SUD50P04-08-GE3
- RS-varenummer:
- 121-9658
- Producentens varenummer:
- SUD50P04-08-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 53,86
(ekskl. moms)
Kr. 67,325
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 5 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 7.610 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 10,772 | Kr. 53,86 |
| 50 - 120 | Kr. 9,682 | Kr. 48,41 |
| 125 - 245 | Kr. 8,054 | Kr. 40,27 |
| 250 - 495 | Kr. 6,26 | Kr. 31,30 |
| 500 + | Kr. 4,956 | Kr. 24,78 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 121-9658
- Producentens varenummer:
- SUD50P04-08-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | SUD50P04-08 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.8V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 106nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 73.5W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.38mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie SUD50P04-08 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.8V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 106nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 73.5W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.38mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
P-kanal MOSFET, 30 V til 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay P-Kanal 50 A 40 V DPAK (TO-252) SUD50P04-08-GE3
- Infineon P-Kanal 90 A 40 V DPAK (TO-252), OptiMOS P IPD90P04P4L04ATMA1
- Infineon P-Kanal 50 A 40 V DPAK (TO-252), OptiMOS P IPD50P04P413ATMA1
- Vishay N-Kanal 7 3 ben, DPAK (TO-252) SIHLR120TR-GE3
- Vishay N-Kanal 19 A 600 V DPAK (TO-252) SIHD186N60EF-GE3
- Vishay N-Kanal 2 3 ben, DPAK (TO-252) SIHD2N80AE-GE3
- Vishay P-Kanal 5 DPAK (TO-252) IRFR9010TRPBF
- Vishay P-Kanal 19 A 55 V, DPAK (TO-252) IRF9Z34SPBF
