SI7121ADN-T1-GE3, IGBT

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 83,78

(ekskl. moms)

Kr. 104,72

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Udgår
  • Sidste 520 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 180Kr. 4,189Kr. 83,78
200 - 480Kr. 3,77Kr. 75,40
500 - 980Kr. 3,348Kr. 66,96
1000 - 1980Kr. 2,73Kr. 54,60
2000 +Kr. 2,304Kr. 46,08

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
180-7866
Producentens varenummer:
SI7121ADN-T1-GE3
Brand:
Vishay
COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay overflademonteret P-kanal PowerPAK-1212-8 MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 30 V og en maksimal gate-source spænding på 25 V. Den har en drænkildemodstand på 15 mohm ved en gate-source spænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 27,8 W og kontinuerlig drænstrøm på 18 A. Den har en min. og en maks. driftsspænding på hhv. 4,5 V og 10 V. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. Ved hjælp af denne MOSFET kan fremragende ydeevne og effektivitet opnås med lavere omkostninger. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med lang produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• Halogenfri
• lav termisk modstand, powerpak-hus med lille størrelse
• maksimal tabseffekt er 27,8 W.
Driftstemperaturområde mellem -50 150 C og • C.
• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder


• Mobil databehandling
• adapterkontakter
• Belastningskontakter - Batteristyring
• Notebook computere
• Strømstyring

Certifikater


• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• RG-testet
• UIS-testet

Relaterede links