Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 35 A 40 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 Nej SIS443DN-T1-GE3

RS-varenummer:: 180-7730
Producentens varenummer:: SIS443DN-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 35 A 40 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 Nej SIS443DN-T1-GE3

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 68,22

(ekskl. moms)

Kr. 85,275

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

940 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
5 - 45	Kr. 13,644	Kr. 68,22
50 - 120	Kr. 12,282	Kr. 61,41
125 - 245	Kr. 9,514	Kr. 47,57
250 - 495	Kr. 7,898	Kr. 39,49
500 +	Kr. 6,164	Kr. 30,82

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-7730
Producentens varenummer:: SIS443DN-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	35A
	Drain source spænding maks. Vds	40V
	Emballagetype	PowerPAK 1212-8
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.0117Ω
	Effektafsættelse maks. Pd	52W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	41.5nC
	Portkildespænding maks.	20 V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bredde	3.61 mm
	Højde	0.79mm
	Længde	3.61mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 35A
	Drain source spænding maks. Vds 40V
	Emballagetype PowerPAK 1212-8
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.0117Ω
	Effektafsættelse maks. Pd 52W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 41.5nC
	Portkildespænding maks. 20 V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bredde 3.61 mm
	Højde 0.79mm
	Længde 3.61mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

Vishay overflademonteret P-kanal PowerPAK-1212-8 MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 40 V og en maksimal gate-source spænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 11,7 mohm ved en gate-source spænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 52 W og kontinuerlig drænstrøm på 35 A. Den har hhv. minimum og maksimum driftsspænding 4,5 V og 10 V. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder

• adapterkontakter

• DC/DC-konvertere

• Belastningskontakter

• Mobil databehandling

• Notebook computere

• Strømstyring

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• RG-testet

• UIS-testet