Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 35 A 20 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, Si7615ADN Nej SI7615ADN-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 787-9248
- Producentens varenummer:
- SI7615ADN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 38,67
(ekskl. moms)
Kr. 48,34
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- 20 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Sidste 4.350 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 3,867 | Kr. 38,67 |
| 100 - 490 | Kr. 3,486 | Kr. 34,86 |
| 500 - 990 | Kr. 2,91 | Kr. 29,10 |
| 1000 - 2490 | Kr. 2,783 | Kr. 27,83 |
| 2500 + | Kr. 2,513 | Kr. 25,13 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 787-9248
- Producentens varenummer:
- SI7615ADN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 35A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212-8 | |
| Serie | Si7615ADN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0044Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 52W | |
| Portkildespænding maks. | ±12 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 59nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.4mm | |
| Bredde | 3.4 mm | |
| Højde | 1.12mm | |
| Standarder/godkendelser | Lead (Pb)-Free | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 35A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212-8 | ||
Serie Si7615ADN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0044Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 52W | ||
Portkildespænding maks. ±12 V | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 59nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.4mm | ||
Bredde 3.4 mm | ||
Højde 1.12mm | ||
Standarder/godkendelser Lead (Pb)-Free | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal MOSFET, 8 V til 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay P-Kanal 35 A 20 V PowerPAK 1212-8 SI7615ADN-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 35 A 30 V PowerPAK 1212-8SH SiSH101DN-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 22 A 20 V PowerPAK 1212-8 SIS415DNT-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 9 8 ben, PowerPAK 1212-8 SI7121DN-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 11 8 ben, PowerPAK 1212-8 SI7129DN-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 27 A 20 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET SISS23DN-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 23 A 30 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET SISS27DN-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 16 8 ben, PowerPAK 1212-8S SISS73DN-T1-GE3
