Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 111.9 A 20 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS61DN Nej SiSS61DN-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 60,59

(ekskl. moms)

Kr. 75,74

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 31. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 6,059Kr. 60,59
100 - 240Kr. 5,76Kr. 57,60
250 - 490Kr. 4,353Kr. 43,53
500 - 990Kr. 3,934Kr. 39,34
1000 +Kr. 3,635Kr. 36,35

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
188-5117
Producentens varenummer:
SiSS61DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

111.9A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

SiSS61DN

Emballagetype

PowerPAK 1212

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

9.8mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

154nC

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

65.8W

Portkildespænding maks.

8 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

0.78mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.3mm

Bredde

3.3 mm

Distrelec Product Id

304-32-537

Bilindustristandarder

Nej

P-kanal 20 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen III p-kanal power-MOSFET

Førende RDS(on) i kompakt og termisk forbedret pakke

Relaterede links