Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 16.2 A 150 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS73DN Nej SISS73DN-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 188-4940
- Producentens varenummer:
- SISS73DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 86,24
(ekskl. moms)
Kr. 107,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 10.280 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 8,624 | Kr. 86,24 |
| 100 - 240 | Kr. 8,198 | Kr. 81,98 |
| 250 - 490 | Kr. 6,904 | Kr. 69,04 |
| 500 - 990 | Kr. 5,61 | Kr. 56,10 |
| 1000 + | Kr. 4,316 | Kr. 43,16 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-4940
- Producentens varenummer:
- SISS73DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 16.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | SiSS73DN | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 125mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 65.8W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14.6nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.78mm | |
| Længde | 3.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 3.3 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Distrelec Product Id | 304-38-852 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 16.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie SiSS73DN | ||
Emballagetype PowerPAK 1212 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 125mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 65.8W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14.6nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.78mm | ||
Længde 3.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 3.3 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Distrelec Product Id 304-38-852 | ||
P-kanal 150 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® med ThunderFET-teknologi
Meget lav RDS(on) minimerer strømtab fra ledningsevne
Relaterede links
- Vishay P-Kanal 16 8 ben, PowerPAK 1212-8S SISS73DN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 33 8 ben, PowerPAK 1212-8S SISS5708DN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 26 8 ben, PowerPAK 1212-8S SISS5710DN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 11 PowerPAK 1212-8S SISS42LDN-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 108 A 30 V PowerPAK 1212-8S SiSS05DN-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 111.9 A. 20 V PowerPAK 1212-8S SiSS61DN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 12 8 ben, PowerPAK 1212-8S SiSS92DN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 67 8 ben, PowerPAK 1212-8S SiSS76LDN-T1-GE3
