Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 9.6 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, Si7121DN Nej
- RS-varenummer:
- 170-8393
- Producentens varenummer:
- SI7121DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 10.206,00
(ekskl. moms)
Kr. 12.756,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 3.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 3,402 | Kr. 10.206,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 170-8393
- Producentens varenummer:
- SI7121DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212 | |
| Serie | Si7121DN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 26mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -50°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 27.8W | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 33nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 3.15 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.07mm | |
| Længde | 3.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212 | ||
Serie Si7121DN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 26mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -50°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 27.8W | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 33nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 3.15 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.07mm | ||
Længde 3.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, 30 V til 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 9.6 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, Si7121DN Nej SI7121DN-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 5.7 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212-8 Nej
- Vishay Type P-Kanal 35 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, SiSH101DN Nej
- Vishay Type P-Kanal 16.2 A 150 V Forbedring PowerPAK 1212, SiSS73DN Nej
- Vishay Type P-Kanal 108 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, SiSS05DN Nej
- Vishay Type P-Kanal 111.9 A 20 V Forbedring PowerPAK 1212, SiSS61DN Nej
- Vishay Type P-Kanal 27 A 20 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Nej
- Vishay Type P-Kanal 23 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Nej