Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 111.9 A 20 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS61DN Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 8.931,00

(ekskl. moms)

Kr. 11.163,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 24. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 2,977Kr. 8.931,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
188-4905
Producentens varenummer:
SiSS61DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

111.9A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

PowerPAK 1212

Serie

SiSS61DN

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

9.8mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

154nC

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Portkildespænding maks.

8 V

Effektafsættelse maks. Pd

65.8W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.3mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

3.3 mm

Højde

0.78mm

Bilindustristandarder

Nej

P-kanal 20 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen III p-kanal power-MOSFET

Førende RDS(on) i kompakt og termisk forbedret pakke

Relaterede links