Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	onsemi
	Effektafsættelse maks.	375 W
	Kapslingstype	TO-247
	Monteringstype	Hulmontering
	Kanaltype	P
	Benantal	4
	Transistorkonfiguration	Enkelt
	Dimensioner	15.8 x 5.2 x 22.74mm
	Driftstemperatur min.	-55 °C
	Driftstemperatur maks.	+175 °C

	Vælg alle
	Brand onsemi
	Effektafsættelse maks. 375 W
	Kapslingstype TO-247
	Monteringstype Hulmontering
	Kanaltype P
	Benantal 4
	Transistorkonfiguration Enkelt
	Dimensioner 15.8 x 5.2 x 22.74mm
	Driftstemperatur min. -55 °C
	Driftstemperatur maks. +175 °C

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

VED hjælp af den nye IGBT-teknologi til feltstop giver ON Semiconductor's nye serie af Field stop 4. Generation af IGBT'er den optimale ydelse til solcellesystemer, UPS, svejser, telekommunikation, ESS og PFC, hvor lavt overlednings- og skiftetab er afgørende

Maks. forbindelsestemperatur: TJ = 175 °C
Positiv temperaturkoefficient for nem parallel drift
Høj strømstyrkekapacitet
Lav mætningsspænding: VCE(sat) = 1,6 V (typ.) ved IC = 75 A.
100 % af de dele, Der Er Testet for ILM (1)
Høj indgangsimpedans
Hurtigt skift
Stram parameterfordeling

FGH75T65SQDTL4, IGBT, P-Kanal, 4 ben, TO-247 Enkelt

Relaterede links