STGWA30IH65DF, IGBT, 60 A 650 V, 4 ben, TO-247 1

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 895,35

(ekskl. moms)

Kr. 1.119,18

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 29. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 - 30Kr. 29,845Kr. 895,35
60 - 120Kr. 29,07Kr. 872,10
150 - 270Kr. 28,322Kr. 849,66
300 +Kr. 27,606Kr. 828,18

*Vejledende pris

RS-varenummer:
206-6065
Producentens varenummer:
STGWA30IH65DF
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

60 A

Kollektor emitter spænding maks.

650 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Antal transistorer

1

Effektafsættelse maks.

108 W

Kapslingstype

TO-247

Benantal

4

STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 serien repræsenterer en udvikling af Advanced proprietære Trench gate feltstop struktur. HB2-seriens ydeevne er optimeret med hensyn til overledning, takket være en bedre VCE(sat) adfærd ved lave strømværdier samt med hensyn til reduceret switching-energi.

Kun designet til blød kommutation
Maksimal samledstemperatur: TJ = 175 °C.
VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 30 A.
Minimeret halestrøm
Stram parameterfordeling
Lav termisk modstand
Friløbsdiode med lav spænding i co-pakke
Positiv VCE(sat) temperaturkoefficient

Relaterede links