STMicroelectronics, IGBT, Type N-Kanal, 60 A 650 V 1 MHz, 4 Ben, TO-247 Hulmontering

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 895,35

(ekskl. moms)

Kr. 1.119,18

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 05. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 - 30Kr. 29,845Kr. 895,35
60 - 120Kr. 29,07Kr. 872,10
150 - 270Kr. 28,322Kr. 849,66
300 +Kr. 27,606Kr. 828,18

*Vejledende pris

RS-varenummer:
206-6065
Producentens varenummer:
STGWA30IH65DF
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

60A

Produkttype

IGBT

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

650V

Effektafsættelse maks. Pd

108W

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

4

Switching-hastighed

1MHz

Min. driftstemperatur

-55°C

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.05V

Portsenderspænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

15.9mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Serie

STG

Højde

5.1mm

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 serien repræsenterer en udvikling af Advanced proprietære Trench gate feltstop struktur. HB2-seriens ydeevne er optimeret med hensyn til overledning, takket være en bedre VCE(sat) adfærd ved lave strømværdier samt med hensyn til reduceret switching-energi.

Kun designet til blød kommutation

Maksimal samledstemperatur: TJ = 175 °C.

VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 30 A.

Minimeret halestrøm

Stram parameterfordeling

Lav termisk modstand

Friløbsdiode med lav spænding i co-pakke

Positiv VCE(sat) temperaturkoefficient

Relaterede links