STGW75H65DFB2-4, IGBT, 115 A 650 V, 4 ben, TO-247 1

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold 10 enheder (leveres i et rør)*

Kr. 348,55

(ekskl. moms)

Kr. 435,69

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 60 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
10 +Kr. 34,855

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
206-8629P
Producentens varenummer:
STGW75H65DFB2-4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

115 A

Kollektor emitter spænding maks.

650 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Antal transistorer

1

Effektafsættelse maks.

357 W

Kapslingstype

TO-247

Benantal

4

STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 serien repræsenterer en udvikling af Advanced proprietære Trench gate feltstop struktur. HB2-seriens ydeevne er optimeret med hensyn til overledning, takket være en bedre VCE(sat) adfærd ved lave strømværdier samt med hensyn til reduceret switching-energi.

Maksimal samledstemperatur: TJ = 175 °C.
Lav VCE(sat) = 1,55 V (typ.) VED IC = 75 A.
Meget hurtig og blød genindvindingsdiode
Minimeret halestrøm
Stram parameterfordeling
Lav termisk modstand
Positiv VCE(sat) temperaturkoefficient
Fremragende skifteevne takket være den ekstra driving kelvin PIN

Relaterede links