STMicroelectronics, IGBT, Type N-Kanal, 115 A 650 V 1 MHz, 4 Ben, TO-247 Hulmontering

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold 10 enheder (leveres i et rør)*

Kr. 348,55

(ekskl. moms)

Kr. 435,69

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 60 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
10 +Kr. 34,855

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
206-8629P
Producentens varenummer:
STGW75H65DFB2-4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

115A

Produkttype

IGBT

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

650V

Effektafsættelse maks. Pd

357W

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

4

Switching-hastighed

1MHz

Min. driftstemperatur

-55°C

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2V

Portsenderspænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

15.9mm

Serie

STG

Højde

5.1mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 serien repræsenterer en udvikling af Advanced proprietære Trench gate feltstop struktur. HB2-seriens ydeevne er optimeret med hensyn til overledning, takket være en bedre VCE(sat) adfærd ved lave strømværdier samt med hensyn til reduceret switching-energi.

Maksimal samledstemperatur: TJ = 175 °C.

Lav VCE(sat) = 1,55 V (typ.) VED IC = 75 A.

Meget hurtig og blød genindvindingsdiode

Minimeret halestrøm

Stram parameterfordeling

Lav termisk modstand

Positiv VCE(sat) temperaturkoefficient

Fremragende skifteevne takket være den ekstra driving kelvin PIN

Relaterede links