Infineon, IC til IGBT-enkelt transistor, Type N-Kanal, 90 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Overflade

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 56,70

(ekskl. moms)

Kr. 70,88

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.852 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 8Kr. 28,35Kr. 56,70
10 - 98Kr. 25,995Kr. 51,99
100 - 248Kr. 24,01Kr. 48,02
250 - 498Kr. 22,365Kr. 44,73
500 +Kr. 21,615Kr. 43,23

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
215-6630
Producentens varenummer:
IGB50N60TATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

IC til IGBT-enkelt transistor

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

90A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

600V

Effektafsættelse maks. Pd

333W

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Portsenderspænding maks.

20 V

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

1.5V

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS, JEDEC1

Serie

TRENCHSTOPTM

Bilindustristandarder

Nej

Infineon bipolær transistor med lavt tab og isoleret gate i trenchstop og fieldstop-teknologi.

Højeffektiv

Lavt koblingstab

Øget pålidelighed

Lav elektromagnetisk interferens

Relaterede links