FP100R12KT4BOSA1, IGBT-modul, 100 A 1200 V 7
- RS-varenummer:
- 244-5379
- Producentens varenummer:
- FP100R12KT4BOSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 bakke af 10 enheder)*
Kr. 12.502,01
(ekskl. moms)
Kr. 15.627,51
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 28. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 1.250,201 | Kr. 12.502,01 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-5379
- Producentens varenummer:
- FP100R12KT4BOSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 100 A | |
| Kollektor emitter spænding maks. | 1200 V | |
| Gate emitter spænding maks. | +/-20V | |
| Antal transistorer | 7 | |
| Effektafsættelse maks. | 515 W | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. 100 A | ||
Kollektor emitter spænding maks. 1200 V | ||
Gate emitter spænding maks. +/-20V | ||
Antal transistorer 7 | ||
Effektafsættelse maks. 515 W | ||
The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 200 A and collector-emitter saturation voltag 2.20 V, gate threshold voltage is 6.4 V.
Collector-emitter cut-off current 1.0 mA
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 100 nA
Reverse transfer capacitance 0.27 nF
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 100 nA
Reverse transfer capacitance 0.27 nF