Infineon, IGBT-modul 1.2 kV 7

Dette IGBT-modul er en effekthalvlederenhed, der er designet til at skifte og styre højspændings DC- og AC-belastninger i industrielle anvendelser. Den kombinerer flere koblingselementer i en enkelt kompakt pakke for at håndtere betydeligt effekttab, mens den fungerer over et bredt omgivende temperaturområde.

• 1200 V kollektor-emitter mærkeværdi for højspændingskontaktkapacitet
• 175 W maks. effekttab til håndtering af forhøjede termiske belastninger
• VCCE(sat) 2,25 V for reducerede ledningstab under tilstand
• Gate-emitter modstandsdygtig over for 20 V for at beskytte styringsindgange
• Konfiguration med syv transistorer, der understøtter komplekse koblingsarrangementer
• Kan anvendes fra -40 til 150 °C for bredt termisk hovedrum

• Velegnet til trækkraftomformertrin i strømkonverteringssystemer
• Ideel til industrielle motorstyringer, der kræver højspændingsenheder
• Anvendes sammen med UPS med mellemspænding og strømbackup-systemer
• Kan bruges til svejsning af strømforsyninger, der har brug for robuste kontakter
• Anvendes til vekselrettere til vedvarende energi, der håndterer forhøjede jævnspændinger

Den maksimale specificerede driftstemperatur er 150 °C.

Modulet indeholder syv transistorer integreret i en enkelt enhed.

Enheden opfylder RoHS-kravene, hvilket angiver overensstemmelse med begrænsede farlige stoffer.

Modulet måler 42,5 mm i bredden, 51 mm i længden og 12 mm i højden.