Infineon, IGBT-modul 1200 V 7

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 379,31

(ekskl. moms)

Kr. 474,14

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 13. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 1Kr. 379,31
2 - 4Kr. 371,68
5 +Kr. 334,51

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
244-5394
Producentens varenummer:
FP25R12W2T4BOMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

IGBT-modul

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

1200V

Effektafsættelse maks. Pd

175W

Antal transistorer

7

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.25V

Min. driftstemperatur

-40°C

Portsenderspænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

42.5 mm

Længde

51mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Serie

FP25R12W2T4B

Højde

12mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon IGBT-modulet den maksimale nominelle repetitive Peak-kollektorstrøm er 50 A og maksimal kollektor-emitter-mætning Voltage 2,25 V, gate-tærskelspænding er 6,4 V.

Kollektor-emitter, afskæringsstrøm 1,0 mA

Temperatur under skiftebetingelser 150 oC

Gate-emitter lækstrøm 400 NA

Omvendt overførselskapacitet 0,05 NF

Relaterede links