FP25R12W2T4BOMA1, IGBT-modul, 39 A 1200 V 7
- RS-varenummer:
- 244-5394
- Producentens varenummer:
- FP25R12W2T4BOMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 255,32
(ekskl. moms)
Kr. 319,15
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 15 enhed(er) afsendes fra 17. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 1 | Kr. 255,32 |
| 2 - 4 | Kr. 250,21 |
| 5 + | Kr. 225,22 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-5394
- Producentens varenummer:
- FP25R12W2T4BOMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 39 A | |
| Kollektor emitter spænding maks. | 1200 V | |
| Gate emitter spænding maks. | +/-20V | |
| Effektafsættelse maks. | 175 W | |
| Antal transistorer | 7 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. 39 A | ||
Kollektor emitter spænding maks. 1200 V | ||
Gate emitter spænding maks. +/-20V | ||
Effektafsættelse maks. 175 W | ||
Antal transistorer 7 | ||
The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 50 A and maximum collector-emitter saturation voltag 2.25 V, gate threshold voltage is 6.4 V.
Collector-emitter cut-off current 1.0 mA
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.05 nF
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.05 nF