Infineon, IGBT-modul 1200 V 7
- RS-varenummer:
- 244-5391
- Producentens varenummer:
- FP25R12W2T4B11BOMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 379,31
(ekskl. moms)
Kr. 474,14
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 9 enhed(er) afsendes fra 06. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 1 | Kr. 379,31 |
| 2 - 4 | Kr. 371,76 |
| 5 + | Kr. 334,66 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-5391
- Producentens varenummer:
- FP25R12W2T4B11BOMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | IGBT-modul | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 1200V | |
| Antal transistorer | 7 | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 175W | |
| Portsenderspænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 2.25V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 12mm | |
| Bredde | 42.5 mm | |
| Serie | FP25R12W2T4B11B | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 51mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype IGBT-modul | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 1200V | ||
Antal transistorer 7 | ||
Effektafsættelse maks. Pd 175W | ||
Portsenderspænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 2.25V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 12mm | ||
Bredde 42.5 mm | ||
Serie FP25R12W2T4B11B | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 51mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IGBT-modulet den maksimale nominelle repetitive Peak-kollektorstrøm er 50 A og maksimal kollektor-emitter-mætning Voltage 2,25 V, gate-tærskelspænding er 6,4 V.
Kollektor-emitter, afskæringsstrøm 1,0 mA
Temperatur under skiftebetingelser 150 oC
Gate-emitter lækstrøm 400 NA
Omvendt overførselskapacitet 0,05 NF