Infineon, IGBT-modul 1200 V 7

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bakke af 15 enheder)*

Kr. 3.698,865

(ekskl. moms)

Kr. 4.623,585

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 22. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bakke*
15 - 15Kr. 246,591Kr. 3.698,87
30 +Kr. 234,253Kr. 3.513,80

*Vejledende pris

RS-varenummer:
244-5389
Producentens varenummer:
FP25R12W2T4B11BOMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

IGBT-modul

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

1200V

Antal transistorer

7

Effektafsættelse maks. Pd

175W

Portsenderspænding maks.

20 V

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.25V

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

12mm

Længde

51mm

Serie

FP25R12W2T4B11B

Standarder/godkendelser

RoHS

Bredde

42.5 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon IGBT-modulet den maksimale nominelle repetitive Peak-kollektorstrøm er 50 A og maksimal kollektor-emitter-mætning Voltage 2,25 V, gate-tærskelspænding er 6,4 V.

Kollektor-emitter, afskæringsstrøm 1,0 mA

Temperatur under skiftebetingelser 150 oC

Gate-emitter lækstrøm 400 NA

Omvendt overførselskapacitet 0,05 NF

Relaterede links