FP75R12KT4BOSA1, IGBT-modul, 75 A 1200 V, EconoPIM 7
- RS-varenummer:
- 244-5851
- Producentens varenummer:
- FP75R12KT4BOSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 bakke af 10 enheder)*
Kr. 9.784,36
(ekskl. moms)
Kr. 12.230,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 04. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 978,436 | Kr. 9.784,36 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-5851
- Producentens varenummer:
- FP75R12KT4BOSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 75 A | |
| Kollektor emitter spænding maks. | 1200 V | |
| Gate emitter spænding maks. | ±20V | |
| Antal transistorer | 7 | |
| Kapslingstype | EconoPIM | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. 75 A | ||
Kollektor emitter spænding maks. 1200 V | ||
Gate emitter spænding maks. ±20V | ||
Antal transistorer 7 | ||
Kapslingstype EconoPIM | ||
The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 355 W, maximum gate threshold voltage is 6.5 V.
Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)
Gate-emitter peak voltage + /- 20 V
Collector-emitter saturation voltage 2.15 V
Gate-emitter leakage current 400 nA
Gate-emitter peak voltage + /- 20 V
Collector-emitter saturation voltage 2.15 V
Gate-emitter leakage current 400 nA