Infineon, IGBT-modul 650 V Hulmontering 4

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 354,48

(ekskl. moms)

Kr. 443,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 6 enhed(er) afsendes fra 06. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 1Kr. 354,48
2 - 4Kr. 336,75
5 - 9Kr. 322,61
10 - 19Kr. 308,40
20 +Kr. 294,26

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
248-1196
Producentens varenummer:
DF200R07W2H3B77BPSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

IGBT-modul

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

650V

Effektafsættelse maks. Pd

20mW

Antal transistorer

4

Monteringstype

Hulmontering

Min. driftstemperatur

-40°C

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2V

Portsenderspænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

12mm

Længde

56.7mm

Serie

DF200R07W2H3B77

Bilindustristandarder

Nej

Infineon gør dette EasyPACK 2B 650 V, 100 A IGBT-modul med 3 niveauer og Trench/Fieldstop IGBT H3 og Rapid-diode og Pressfit/NTC. Denne enhed har et brugervenligt, kompakt design og optimeret ydeevne. Enheden giver ekstra fordele som f.eks. øget spærrespænding op til 650 V, lavt induktiv design, lavt koblingstab og lav VCE, sat. Den anvender et Al2O3 substrat med lav termisk modstand og prespasning kontaktteknologi. Denne enhed giver robust montering takket være integreret monteringsklemme. Denne enhed har booster-konfiguration og anvender IGBT HighSpeed 3-teknologi.

Bedste forhold mellem pris og ydeevne med reducerede systemomkostninger

Høj grad af frihed i design

Højeste effektivitet og effekttæthed

Relaterede links