DF200R07W2H3B77BPSA1, IGBT-modul, 40 A, 70 A. 650 V 4
- RS-varenummer:
- 248-1196
- Producentens varenummer:
- DF200R07W2H3B77BPSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 enhed)*
Kr. 306,79
(ekskl. moms)
Kr. 383,49
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 6 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 306,79 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 248-1196
- Producentens varenummer:
- DF200R07W2H3B77BPSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 40 A, 70 A. | |
| Kollektor emitter spænding maks. | 650 V | |
| Gate emitter spænding maks. | ±20V | |
| Effektafsættelse maks. | 20 mW | |
| Antal transistorer | 4 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. 40 A, 70 A. | ||
Kollektor emitter spænding maks. 650 V | ||
Gate emitter spænding maks. ±20V | ||
Effektafsættelse maks. 20 mW | ||
Antal transistorer 4 | ||
Infineon gør dette EasyPACK 2B 650 V, 100 A IGBT-modul med 3 niveauer og Trench/Fieldstop IGBT H3 og Rapid-diode og Pressfit/NTC. Denne enhed har et brugervenligt, kompakt design og optimeret ydeevne. Enheden giver ekstra fordele som f.eks. øget spærrespænding op til 650 V, lavt induktiv design, lavt koblingstab og lav VCE, sat. Den anvender et Al2O3 substrat med lav termisk modstand og prespasning kontaktteknologi. Denne enhed giver robust montering takket være integreret monteringsklemme. Denne enhed har booster-konfiguration og anvender IGBT HighSpeed 3-teknologi.
Bedste forhold mellem pris og ydeevne med reducerede systemomkostninger
Høj grad af frihed i design
Højeste effektivitet og effekttæthed
Høj grad af frihed i design
Højeste effektivitet og effekttæthed