BIDW50N65T, IGBT, 50 A 650 V, TO-247 1

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold 10 enheder (leveres i et rør)*

Kr. 270,95

(ekskl. moms)

Kr. 338,69

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.102 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
10 - 48Kr. 27,095
50 - 98Kr. 25,585
100 - 248Kr. 22,265
250 +Kr. 21,815

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
253-3509P
Producentens varenummer:
BIDW50N65T
Brand:
Bourns
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Bourns

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

50 A

Kollektor emitter spænding maks.

650 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Effektafsættelse maks.

416 W

Antal transistorer

1

Kapslingstype

TO-247

Konfiguration

Enkelt diode

Bourns IGBT-enheden kombinerer teknologi fra en MOS-gate og en bipolær transistor til en optimal komponent til anvendelser med høj spænding og høj strømstyrke. Denne enhed bruger Trench-Gate Field-Stop-teknologi, der giver større styring af dynamiske egenskaber med en lavere kollektor-emitter-mætningsspænding (VCE(sat)) og færre skiftetab. Desuden giver denne struktur en lavere termisk modstand R(th).

650 V, 50 A, lav kollektor-emitter mætningsspænding (VCE(sat)) Trench-Gate Field-Stop-teknologi Optimeret til ledning i overensstemmelse med RoHS

Relaterede links