Semikron Danfoss, IGBT-modul, N-Kanal, 200 A 1.2 kV, 3 Ben, SEMITRANS Panelkabinet 2

Få rabat ved storkøb

Tilføj 2 flere for at gemme Kr. 272,60

Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 2.727,97

(ekskl. moms)

Kr. 3.409,96

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • 26 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Sidste 1 enhed(er) afsendes fra 17. november 2026

Enheder
Per stk.
Besparelse
1 - 1Kr. 2.727,97-
2 - 4Kr. 2.591,67Kr. 272,60
5 - 9Kr. 2.501,46Kr. 1.132,55
10 - 19Kr. 2.408,78Kr. 3.191,90
20 +Kr. 2.288,88Kr. 8.781,80

*Vejledende pris

RS-varenummer:
468-2454
Producentens varenummer:
SKM200GB125D
Brand:
Semikron Danfoss
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Semikron Danfoss

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

200A

Produkttype

IGBT-modul

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

1.2kV

Antal transistorer

2

Emballagetype

SEMITRANS

Monteringstype

Panelkabinet

Kanaltype

N

Benantal

3

Min. driftstemperatur

-40°C

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

3.85V

Portsenderspænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

106.4mm

Bredde

61.4mm

Serie

SKM200GB125D

Højde

30.5mm

Bilindustristandarder

Nej

Dobbelte IGBT-moduler


Et udvalg af SEMITOP® IGBT-moduler fra Semikron med to serietilsluttede (halv bro) IGBT-enheder. Modulerne findes i en lang række spændings- og strømværdier og er velegnede til en bred vifte af effektomkoblingsapplikationer, f.eks. ac-frekvensomformere og nødstrømsforsyninger.

Kompakt SEMITOP® hus

Velegnet til switching-frekvenser op til 12 kHz

Isoleret kobberbundplade, der anvender teknologi med direkte bundet kobber

IGBT moduler, Semikron


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.