SKM300GB125D, IGBT-modul, N-Kanal, 300 A 1200 V, 7 ben, SEMITRANS3 Serie
- RS-varenummer:
- 468-2498
- Producentens varenummer:
- SKM300GB125D
- Brand:
- Semikron Danfoss
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 4.222,91
(ekskl. moms)
Kr. 5.278,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 39 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 16 enhed(er) afsendes fra 02. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 1 | Kr. 4.222,91 |
| 2 - 4 | Kr. 4.011,82 |
| 5 - 9 | Kr. 3.813,30 |
| 10 - 19 | Kr. 3.623,24 |
| 20 + | Kr. 3.445,89 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 468-2498
- Producentens varenummer:
- SKM300GB125D
- Brand:
- Semikron Danfoss
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Semikron Danfoss | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 300 A | |
| Kollektor emitter spænding maks. | 1200 V | |
| Gate emitter spænding maks. | ±20V | |
| Kapslingstype | SEMITRANS3 | |
| Konfiguration | Dobbelt halv bro | |
| Monteringstype | Panelmontering | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 7 | |
| Transistorkonfiguration | Serie | |
| Dimensioner | 106.4 x 61.4 x 30.5mm | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Driftstemperatur min. | -40 °C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Semikron Danfoss | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. 300 A | ||
Kollektor emitter spænding maks. 1200 V | ||
Gate emitter spænding maks. ±20V | ||
Kapslingstype SEMITRANS3 | ||
Konfiguration Dobbelt halv bro | ||
Monteringstype Panelmontering | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 7 | ||
Transistorkonfiguration Serie | ||
Dimensioner 106.4 x 61.4 x 30.5mm | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Driftstemperatur min. -40 °C | ||
Dobbelte IGBT-moduler
Et udvalg af SEMITOP® IGBT-moduler fra Semikron med to serietilsluttede (halv bro) IGBT-enheder. Modulerne findes i en lang række spændings- og strømværdier og er velegnede til en bred vifte af effektomkoblingsapplikationer, f.eks. ac-frekvensomformere og nødstrømsforsyninger.
Kompakt SEMITOP® hus
Velegnet til switching-frekvenser op til 12 kHz
Isoleret kobberbundplade, der anvender teknologi med direkte bundet kobber
Velegnet til switching-frekvenser op til 12 kHz
Isoleret kobberbundplade, der anvender teknologi med direkte bundet kobber

IGBT moduler, Semikron
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Relaterede links
- SKM200GB126D N-Kanal 7 ben, SEMITRANS3 Serie
- SKM200GB12E4 N-Kanal 7 ben, SEMITRANS3 Serie
- SKM400GB126D N-Kanal 7 ben, SEMITRANS3 Serie
- SKM400GB125D N-Kanal 7 ben, SEMITRANS3 2 Halvbro
- SKM400GB12E4 N-Kanal 7 ben, SEMITRANS3 2 Halvbro
- SKM300GB12E4 N-Kanal 7 ben, SEMITRANS3 2 Halvbro
- SKM300GB126D N-Kanal 310 A 1200 V SEMITRANS3 Serie
- SKM200GB125D N-Kanal 3 ben, SEMITRANS3 Serie
