Semikron Danfoss, IGBT-modul, Type N-Kanal, 260 A 1200 V, 7 Ben, SEMITRANS Panelkabinet 2

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 1.694,35

(ekskl. moms)

Kr. 2.117,94

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 4 enhed(er) afsendes fra 06. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 1Kr. 1.694,35
2 - 4Kr. 1.491,06
5 - 9Kr. 1.355,53
10 - 19Kr. 1.272,57
20 +Kr. 1.187,67

*Vejledende pris

RS-varenummer:
468-2460
Elfa Distrelec varenummer:
171-00-313
Producentens varenummer:
SKM200GB126D
Brand:
Semikron Danfoss
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Semikron Danfoss

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

260A

Produkttype

IGBT-modul

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

1200V

Antal transistorer

2

Emballagetype

SEMITRANS

Monteringstype

Panelkabinet

Kanaltype

Type N

Benantal

7

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.1V

Min. driftstemperatur

150°C

Portsenderspænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

-40°C

Standarder/godkendelser

No

Serie

SKM200GB126D

Længde

106.4mm

Højde

30mm

Bilindustristandarder

Nej

Dobbelte IGBT-moduler


Et udvalg af SEMITOP® IGBT-moduler fra Semikron med to serietilsluttede (halv bro) IGBT-enheder. Modulerne findes i en lang række spændings- og strømværdier og er velegnede til en bred vifte af effektomkoblingsapplikationer, f.eks. ac-frekvensomformere og nødstrømsforsyninger.

Kompakt SEMITOP® hus

Velegnet til switching-frekvenser op til 12 kHz

Isoleret kobberbundplade, der anvender teknologi med direkte bundet kobber

IGBT moduler, Semikron


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links