Semikron Danfoss, IGBT-modul, Type N-Kanal, 260 A 1700 V, 7 Ben, SEMITRANS Panelkabinet 2

STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD

Se alle IGBT

Indhold (1 enhed)*

Kr. 1.239,51

(ekskl. moms)

Kr. 1.549,39

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • 31 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Sidste 86 enhed(er) afsendes fra 10. april 2026
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 1.239,51

*Vejledende pris

RS-varenummer:
505-3217
Producentens varenummer:
SKM200GB176D
Brand:
Semikron Danfoss
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Semikron Danfoss

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

260A

Produkttype

IGBT-modul

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

1700V

Antal transistorer

2

Emballagetype

SEMITRANS

Monteringstype

Panelkabinet

Kanaltype

Type N

Benantal

7

Min. driftstemperatur

150°C

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.45V

Portsenderspænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

-40°C

Længde

106.4mm

Standarder/godkendelser

No

Serie

SKM200GB176D

Højde

30mm

Bilindustristandarder

Nej

Dobbelte IGBT-moduler


Et udvalg af SEMITOP® IGBT-moduler fra Semikron med to serietilsluttede (halv bro) IGBT-enheder. Modulerne findes i en lang række spændings- og strømværdier og er velegnede til en bred vifte af effektomkoblingsapplikationer, f.eks. ac-frekvensomformere og nødstrømsforsyninger.

Kompakt SEMITOP® hus

Velegnet til switching-frekvenser op til 12 kHz

Isoleret kobberbundplade, der anvender teknologi med direkte bundet kobber

IGBT moduler, Semikron


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links