SKM200GB176D, IGBT-modul, N-Kanal, 260 A 1700 V, 7 ben, SEMITRANS3 Serie

STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 2.386,21

(ekskl. moms)

Kr. 2.982,76

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 32 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 106 enhed(er) afsendes fra 18. november 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Pr stk.
1 - 9Kr. 2.386,21
10 - 19Kr. 2.018,70
20 +Kr. 1.777,70

*Vejledende pris

RS-varenummer:
505-3217
Producentens varenummer:
SKM200GB176D
Brand:
Semikron Danfoss
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Semikron Danfoss

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

260 A

Kollektor emitter spænding maks.

1700 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Kapslingstype

SEMITRANS3

Konfiguration

Dobbelt halv bro

Monteringstype

Panelmontering

Kanaltype

N

Benantal

7

Transistorkonfiguration

Serie

Dimensioner

106.4 x 61.4 x 30mm

Driftstemperatur min.

-40 °C

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Dobbelte IGBT-moduler


Et udvalg af SEMITOP® IGBT-moduler fra Semikron med to serietilsluttede (halv bro) IGBT-enheder. Modulerne findes i en lang række spændings- og strømværdier og er velegnede til en bred vifte af effektomkoblingsapplikationer, f.eks. ac-frekvensomformere og nødstrømsforsyninger.

Kompakt SEMITOP® hus
Velegnet til switching-frekvenser op til 12 kHz
Isoleret kobberbundplade, der anvender teknologi med direkte bundet kobber


IGBT moduler, Semikron


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links