STMicroelectronics, IGBT, Type N-Kanal, 80 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Hulmontering

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold 4 enheder (leveres i et rør)*

Kr. 120,42

(ekskl. moms)

Kr. 150,524

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 346 enhed(er) afsendes fra 06. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
4 +Kr. 30,105

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
795-9209P
Producentens varenummer:
STGW39NC60VD
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

IGBT

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

80A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

600V

Effektafsættelse maks. Pd

250W

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Switching-hastighed

1MHz

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.4V

Portsenderspænding maks.

±20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

JEDEC JESD97

Højde

20.15mm

Længde

14.8mm

Bilindustristandarder

Nej

IGBT diskrete, ST Microelectronics


IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links