Toshiba, Diskret IGBT, Type N-Kanal, 50 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-3P Hulmontering

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 10 enheder (leveres i et rør)*

Kr. 302,20

(ekskl. moms)

Kr. 377,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere

Enheder
Per stk.
10 - 49Kr. 30,22
50 - 124Kr. 29,55
125 - 249Kr. 29,17
250 +Kr. 28,57

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
796-5064P
Producentens varenummer:
GT50JR22
Brand:
Toshiba
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Toshiba

Produkttype

Diskret IGBT

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

50A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

600V

Effektafsættelse maks. Pd

230W

Emballagetype

TO-3P

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Switching-hastighed

1MHz

Portsenderspænding maks.

±25 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Serie

6.5th generation

Bilindustristandarder

Nej

IGBT diskrete, Toshiba


IGBT diskrete halvledere og moduler, Toshiba


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.