NGB8207ABNT4G, IGBT, N-Kanal, 50 A 365 V, 3 ben, D2PAK (TO-263) Enkelt
- RS-varenummer:
- 805-1753P
- Producentens varenummer:
- NGB8207ABNT4G
- Brand:
- Littelfuse
Indhold 5 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 75,55
(ekskl. moms)
Kr. 94,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 225 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 5 + | Kr. 15,11 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 805-1753P
- Producentens varenummer:
- NGB8207ABNT4G
- Brand:
- Littelfuse
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Littelfuse | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 50 A | |
| Kollektor emitter spænding maks. | 365 V | |
| Gate emitter spænding maks. | ±15V | |
| Effektafsættelse maks. | 165 W | |
| Kapslingstype | D2PAK (TO-263) | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 3 | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Dimensioner | 10.29 x 9.65 x 4.83mm | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Driftstemperatur maks. | +175 °C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Littelfuse | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. 50 A | ||
Kollektor emitter spænding maks. 365 V | ||
Gate emitter spænding maks. ±15V | ||
Effektafsættelse maks. 165 W | ||
Kapslingstype D2PAK (TO-263) | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 3 | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Dimensioner 10.29 x 9.65 x 4.83mm | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
Driftstemperatur maks. +175 °C | ||
IGBT diskrete, ON Semiconductor
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) til motordrev og andre stærkstrømsskiftanvendelser.
IGBT diskrete, ON Semiconductor
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Relaterede links
- NGB8207ABNT4G N-Kanal 3 ben, D2PAK (TO-263) Enkelt
- NGB8207BNT4G N-Kanal 3 ben, D2PAK (TO-263) Enkelt
- FGB3040CS N-Kanal 6 ben, D2PAK (TO-263) Enkelt
- STGB10NB37LZT4 N-Kanal 3 ben, D2PAK (TO-263) Enkelt
- ISL9V2540S3ST N-Kanal5 A 450 V D2PAK (TO-263) Enkelt
- ISL9V5036S3ST N-Kanal 3 ben, D2PAK (TO-263) Enkelt
- ISL9V3040S3ST N-Kanal 3 ben, D2PAK (TO-263) Enkelt
- FGB20N60SFD N-Kanal 3 ben, D2PAK (TO-263) Enkelt