STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 125 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerFLAT, STL125N10F8AG AEC-Q101 STL125N10F8AG
- RS-varenummer:
- 214-995
- Producentens varenummer:
- STL125N10F8AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 48.105,00
(ekskl. moms)
Kr. 60.132,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 3.000 enhed(er) afsendes fra 21. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 16,035 | Kr. 48.105,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-995
- Producentens varenummer:
- STL125N10F8AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 125A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | STL125N10F8AG | |
| Emballagetype | PowerFLAT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 56nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 125A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie STL125N10F8AG | ||
Emballagetype PowerFLAT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 56nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics 100 V N-kanal-forbedringstilstand Power MOSFET er designet i STripFET F8-teknologi med en forbedret skotgate-struktur. Det sikrer en state-of-the-art fortjeneste for meget lav modstand i tændt tilstand og samtidig reducerer den interne kapacitet og gate opladning for hurtigere og mere effektiv omskiftning.
Lav gate-ladning Qg
Vådbart flankehus
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 125 A 100 V PowerFLAT, STL125N10F8AG STL125N10F8AG
- STMicroelectronics N-Kanal 125 A 100 V PowerFLAT 5x6 STL120N10F8
- STMicroelectronics N-Kanal 158 A 100 V PowerFLAT 5x6, STL STL165N10F8AG
- STMicroelectronics N-Kanal 110 A 100 V PowerFLAT 5 x 6, STripFET H7 STL110N10F7
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A 100 V PowerFLAT 5 x 6, STripFET H7 STL30N10F7
- STMicroelectronics N-Kanal 20 A 100 V PowerFLAT 5 x 6, STripFET F3 STL8N10LF3
- STMicroelectronics N-Kanal 60 A 100 V PowerFLAT 5 x 6, STripFET H7 STL60N10F7
- STMicroelectronics N-Kanal 350 A 40 V PowerFLAT 5x6, STL STL320N4F8
