STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 125 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerFLAT, STL125N10F8AG AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 33.513,00

(ekskl. moms)

Kr. 41.892,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 11,171Kr. 33.513,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
214-995
Producentens varenummer:
STL125N10F8AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

125A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

PowerFLAT

Serie

STL125N10F8AG

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

4.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

56nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

150W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS, AEC-Q101

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics 100 V N-kanal-forbedringstilstand Power MOSFET er designet i STripFET F8-teknologi med en forbedret skotgate-struktur. Det sikrer en state-of-the-art fortjeneste for meget lav modstand i tændt tilstand og samtidig reducerer den interne kapacitet og gate opladning for hurtigere og mere effektiv omskiftning.

Lav gate-ladning Qg

Vådbart flankehus

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.