STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 125 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerFLAT, STL125N10F8AG AEC-Q101 STL125N10F8AG

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 20,27

(ekskl. moms)

Kr. 25,34

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 3.000 enhed(er) afsendes fra 21. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 20,27
10 - 99Kr. 18,25
100 - 499Kr. 16,90
500 - 999Kr. 15,63
1000 +Kr. 13,99

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-996
Producentens varenummer:
STL125N10F8AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

125A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

STL125N10F8AG

Emballagetype

PowerFLAT

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

4.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

56nC

Effektafsættelse maks. Pd

150W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS, AEC-Q101

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics 100 V N-kanal-forbedringstilstand Power MOSFET er designet i STripFET F8-teknologi med en forbedret skotgate-struktur. Det sikrer en state-of-the-art fortjeneste for meget lav modstand i tændt tilstand og samtidig reducerer den interne kapacitet og gate opladning for hurtigere og mere effektiv omskiftning.

Lav gate-ladning Qg

Vådbart flankehus

Relaterede links