STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 420 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PowerFLAT, STL059N AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 820-272
- Producentens varenummer:
- STL059N4S8AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 11,98
(ekskl. moms)
Kr. 14,98
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 02. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 11,98 |
| 10 - 24 | Kr. 10,59 |
| 25 - 99 | Kr. 9,45 |
| 100 - 499 | Kr. 8,14 |
| 500 + | Kr. 6,82 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 820-272
- Producentens varenummer:
- STL059N4S8AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 420A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | STL059N | |
| Emballagetype | PowerFLAT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.85mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 187W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 275nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.1mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 5.4mm | |
| Højde | 1mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 420A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie STL059N | ||
Emballagetype PowerFLAT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.85mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 187W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 275nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.1mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 5.4mm | ||
Højde 1mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
STMicroelectronics en 40 V N-kanal-forbedringstilstand Power MOSFET designet i Smart STripFET F8, den nye dedikerede STripFET F8-baserede teknologi rettet mod strømfordelingsanvendelser, med en forbedret trench-portstruktur.
AEC-Q101 kvalificeret
MSL1 kvalitet
Driftstemperatur på 175 °C
100% lavine testet
Vådbart flankehus
Ekstremt lav RDS(on)
Logisk niveau
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 95 A 80 V Forbedring PowerFLAT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 125 A 100 V Forbedring PowerFLAT, STL125N10F8AG AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 12 V Forbedring PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 20 A 100 V Forbedring PowerFLAT, STripFET F3 AEC-Q101
- STMicroelectronics 1 Type N-Kanal Enkelt 40 A 30 V Forbedring PowerFLAT, STripFET AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 125 A 100 V Forbedring PowerFLAT
- STMicroelectronics Type N-Kanal 25 A 600 V Forbedring PowerFLAT
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5.5 A 600 V Forbedring PowerFLAT
