onsemi N-Kanal, MOSFET og Diode, 13 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, NTD
- RS-varenummer:
- 220-565
- Producentens varenummer:
- NTD280N60S5Z
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 5 enheder)*
Kr. 116,16
(ekskl. moms)
Kr. 145,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.475 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 23,232 | Kr. 116,16 |
| 50 - 95 | Kr. 22,066 | Kr. 110,33 |
| 100 - 495 | Kr. 20,466 | Kr. 102,33 |
| 500 - 995 | Kr. 18,85 | Kr. 94,25 |
| 1000 + | Kr. 18,132 | Kr. 90,66 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-565
- Producentens varenummer:
- NTD280N60S5Z
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | NTD | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 224mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 89W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17.9nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, Pb-Free, 100% Avalanche Tested | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie NTD | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 224mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 89W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17.9nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, Pb-Free, 100% Avalanche Tested | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
ON Semiconductor MOSFET Easy Drive-serien kombinerer fremragende switching-ydelse uden at gå på kompromis med brugervenlighed og EMI-problemer til både hårde og bløde switching-topologier.
Halogenfri
I overensstemmelse med RoHS