onsemi Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 13 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, NTD Nej NTD280N60S5Z
- RS-varenummer:
- 220-565
- Producentens varenummer:
- NTD280N60S5Z
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 5 enheder)*
Kr. 109,06
(ekskl. moms)
Kr. 136,325
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 2.475 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 21,812 | Kr. 109,06 |
| 50 - 95 | Kr. 20,72 | Kr. 103,60 |
| 100 - 495 | Kr. 19,208 | Kr. 96,04 |
| 500 - 995 | Kr. 17,698 | Kr. 88,49 |
| 1000 + | Kr. 17,024 | Kr. 85,12 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-565
- Producentens varenummer:
- NTD280N60S5Z
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | NTD | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 224mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 89W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17.9nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, Pb-Free, 100% Avalanche Tested | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie NTD | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 224mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 89W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17.9nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, Pb-Free, 100% Avalanche Tested | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
ON Semiconductor MOSFET Easy Drive-serien kombinerer fremragende switching-ydelse uden at gå på kompromis med brugervenlighed og EMI-problemer til både hårde og bløde switching-topologier.
Halogenfri
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 20 A 30 V Forbedring TO-252, NTD AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 20 A 30 V Forbedring TO-252, NTD AEC-Q101 NTD20N03L27T4G
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V TO-252, NTD Nej
- onsemi Type N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-252, SUPERFET III Nej
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V TO-252, NTD Nej NTD5C632NLT4G
- onsemi Type N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-252, SUPERFET III Nej NTD360N80S3Z
- onsemi Type N-Kanal 7 A 600 V Forbedring TO-252, SuperFET Nej
- onsemi Type N-Kanal 2.8 A 600 V Forbedring TO-252, QFET Nej
