ROHM 2 Type N-Kanal, MOSFET 100 V Forbedring, 8 Ben, HUML2020L8, UT6 Nej UT6KE5TCR

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 25 enheder)*

Kr. 55,125

(ekskl. moms)

Kr. 68,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 3.025 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
25 - 75Kr. 2,205Kr. 55,13
100 - 225Kr. 2,094Kr. 52,35
250 - 475Kr. 1,939Kr. 48,48
500 - 975Kr. 1,783Kr. 44,58
1000 +Kr. 1,72Kr. 43,00

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
264-564
Producentens varenummer:
UT6KE5TCR
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

UT6

Emballagetype

HUML2020L8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

207mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

2.8nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

±20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

ROHM 100V 2.0A dual N-channel power MOSFET i en DFN2020-8D-pakke har lav on-modstand, hvilket gør den ideel til switching-applikationer og DC/DC-omformere. Den integrerer to 100V MOSFET'er i et kompakt overflademonteret design.

Lav modstand ved tændt

Lille overflademonteret pakke

Pb-fri plettering og RoHS-kompatibel

Halogenfri

Relaterede links