ROHM Type N-Kanal, MOSFET, 10.3 A 40 V N, 8 Ben, HUML2020L8, RF4G100BG Nej RF4G100BGTCR
- RS-varenummer:
- 241-2263
- Producentens varenummer:
- RF4G100BGTCR
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 72,41
(ekskl. moms)
Kr. 90,51
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 30 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 7,241 | Kr. 72,41 |
| 50 - 90 | Kr. 7,091 | Kr. 70,91 |
| 100 - 240 | Kr. 5,662 | Kr. 56,62 |
| 250 - 990 | Kr. 5,535 | Kr. 55,35 |
| 1000 + | Kr. 4,997 | Kr. 49,97 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 241-2263
- Producentens varenummer:
- RF4G100BGTCR
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | RF4G100BG | |
| Emballagetype | HUML2020L8 | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.7mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10.6nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie RF4G100BG | ||
Emballagetype HUML2020L8 | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.7mΩ | ||
Kanalform N | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10.6nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM RF4G100BG er en effekt-MOSFET med lav modstand og velegnet til kobling.
Lav aktiv modstand
Lille hus med høj effekt HUML20L8
Blyfri belægning og i overensstemmelse med RoHS
Halogenfri
Relaterede links
- ROHM N-Kanal 10 A 40 V, HUML2020L8 RF4G100BGTCR
- ROHM N-Kanal 7 A 60 V, HUML2020L8 RF4L070BGTCR
- ROHM N/P-Kanal-Kanal 4 A 30 V, HUML2020L8 UT6MA2TCR
- ROHM N-Kanal 6 A 100 V HUML2020L8 RF4P060BGTCR
- ROHM N/P-Kanal-Kanal 2 A 100 V HUML2020L8, UT6 UT6ME5TCR
- ROHM N-Kanal 2 A 100 V HUML2020L8, UT6 UT6KE5TCR
- ROHM P-Kanal 1 A 100 V HUML2020L8, UT6 UT6JE5TCR
- ROHM N-Kanal 40 A 100 V, HSMT8 RH6P040BHTB1
