ROHM Type N-Kanal, MOSFET, 6 A 100 V Forbedring, 8 Ben, HUML2020L8, RF4P060BG Nej RF4P060BGTCR
- RS-varenummer:
- 266-3857
- Producentens varenummer:
- RF4P060BGTCR
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 22,02
(ekskl. moms)
Kr. 27,52
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 3.000 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 2,202 | Kr. 22,02 |
| 50 - 90 | Kr. 2,16 | Kr. 21,60 |
| 100 - 240 | Kr. 1,693 | Kr. 16,93 |
| 250 - 990 | Kr. 1,657 | Kr. 16,57 |
| 1000 + | Kr. 1,293 | Kr. 12,93 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 266-3857
- Producentens varenummer:
- RF4P060BGTCR
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | HUML2020L8 | |
| Serie | RF4P060BG | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 53mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.7nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype HUML2020L8 | ||
Serie RF4P060BG | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 53mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.7nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM effekt MOSFET med lav modstand ved tændt og lille støbt hus med høj effekt, velegnet til omskiftning.
Blyfri belægning
I overensstemmelse med RoHS
Halogenfri
Relaterede links
- ROHM N-Kanal 6 A 100 V HUML2020L8 RF4P060BGTCR
- ROHM N-Kanal 2 A 100 V HUML2020L8, UT6 UT6KE5TCR
- ROHM N/P-Kanal-Kanal 2 A 100 V HUML2020L8, UT6 UT6ME5TCR
- ROHM N-Kanal 7 A 60 V, HUML2020L8 RF4L070BGTCR
- ROHM N-Kanal 10 A 40 V, HUML2020L8 RF4G100BGTCR
- ROHM N/P-Kanal-Kanal 4 A 30 V, HUML2020L8 UT6MA2TCR
- ROHM P-Kanal 1 A 100 V HUML2020L8, UT6 UT6JE5TCR
- ROHM N-Kanal 8 A 100 V SOP8, SH8 SH8KE7TB1
