ROHM Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Udtømning, 3 Ben, TO-252, RD3G08CBLHRB AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 264-956
- Producentens varenummer:
- RD3G08CBLHRBTL
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 5 enheder)*
Kr. 43,61
(ekskl. moms)
Kr. 54,51
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.485 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 8,722 | Kr. 43,61 |
| 50 - 95 | Kr. 8,272 | Kr. 41,36 |
| 100 - 495 | Kr. 7,66 | Kr. 38,30 |
| 500 - 995 | Kr. 7,062 | Kr. 35,31 |
| 1000 + | Kr. 6,806 | Kr. 34,03 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-956
- Producentens varenummer:
- RD3G08CBLHRBTL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | RD3G08CBLHRB | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.2mΩ | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 42nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 96W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, AEC-Q101 | |
| Længde | 10mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie RD3G08CBLHRB | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.2mΩ | ||
Kanalform Udtømning | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 42nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 96W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, AEC-Q101 | ||
Længde 10mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
ROHM MOSFET, der skiller sig ud med sin imponerende ydeevne på tværs af forskellige applikationer. Denne komponent er designet til høj effektivitet og udmærker sig ved at kunne håndtere betydelige effektniveauer med minimal varmeudvikling, hvilket gør den ideel til krævende bil- og industrimiljøer. Den kompakte DPAK-pakke sikrer nem integration i layout med begrænset plads, mens den RoHS-kompatible, blyfri konstruktion garanterer overholdelse af moderne miljøstandarder.
Overholder RoHS-standarder, der sikrer miljømæssig sikkerhed
Kompakt DPAK-pakke muliggør pladsbesparende design
Testet under strenge forhold for garanteret pålidelighed
Relaterede links
- ROHM Type N-Kanal 59 A 100 V Udtømning TO-252, RD3P06BBKH AEC-Q101
- ROHM Type N-Kanal 80 A 40 V Forbedring TO-252, RD3 AEC-Q101
- ROHM Type N-Kanal 12 A 60 V Udtømning DFN2020Y7LSAA, RF9L120BKFRA AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 80 A 40 V Forbedring TO-252, RD3 AEC-Q101
- ROHM Type N-Kanal 7 A 800 V N TO-252, R8007 AEC-Q101
- ROHM Type N-Kanal 80 A 40 V Forbedring TO-252, AG085FG AEC-Q101
- ROHM Type N-Kanal 80 A 40 V Forbedring TO-252, AG084F AEC-Q101
- Microchip Type N-Kanal 3 Ben DN2625