Microchip N-Kanal, MOSFET, 1.1 A 250 V Udtømning, 3 Ben, TO-252, DN2625
- RS-varenummer:
- 598-727
- Producentens varenummer:
- DN2625K4-G
- Brand:
- Microchip
Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*
Kr. 16.928,00
(ekskl. moms)
Kr. 21.160,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 03. maj 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | Kr. 8,464 | Kr. 16.928,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 598-727
- Producentens varenummer:
- DN2625K4-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 250V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | DN2625 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 250V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie DN2625 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Kanalform Udtømning | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Microchips transistor med lav tærskel for udarmningstilstand udnytter en avanceret vertikal DMOS-struktur og en velprøvet siliciumgate-fremstillingsproces. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og med den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud. Vertikale DMOS FET'er er ideelle til en bred vifte af koblings- og forstærkningsanvendelser, hvor høj nedbrydningsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige koblingshastigheder ønskes.
Meget lav gate-tærskelspænding
Konstrueret til at blive drevet af kilden
Lavt skiftetab
Lav effektiv udgangskapacitet
Konstrueret til induktive belastninger
Relaterede links
- Microchip 1 N-Kanal Enkelt 1.1 A 250 V Udtømning DFN, DN2625
- Microchip N-Kanal 170 mA 700 V Udtømning TO-252, DN2470
- STMicroelectronics N-Kanal 10 A 480 V Udtømning TO-252, STD
- ROHM N-Kanal 59 A 100 V Udtømning TO-252, RD3P06BBKH AEC-Q101
- ROHM N-Kanal 80 A 40 V Udtømning TO-252, RD3G08CBLHRB AEC-Q101
- Microchip Enkelt N-Kanal 230 mA 350 V Udtømning, 4 Ben
- Microchip N-Kanal 360 mA 250 V Udtømning SOT-89, DN3525
- Infineon N-Kanal 100 mA 250 V Udtømning SOT-23, BSS139I