ROHM Type N-Kanal, MOSFET, 59 A 100 V Udtømning, 8 Ben, TO-252, RD3P06BBKH AEC-Q101 RD3P06BBKHRBTL
- RS-varenummer:
- 264-943
- Producentens varenummer:
- RD3P06BBKHRBTL
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 5 enheder)*
Kr. 36,05
(ekskl. moms)
Kr. 45,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 85 enhed(er) afsendes fra 19. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 7,21 | Kr. 36,05 |
| 50 - 95 | Kr. 6,852 | Kr. 34,26 |
| 100 - 495 | Kr. 6,344 | Kr. 31,72 |
| 500 - 995 | Kr. 5,834 | Kr. 29,17 |
| 1000 + | Kr. 5,624 | Kr. 28,12 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-943
- Producentens varenummer:
- RD3P06BBKHRBTL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 59A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | RD3P06BBKH | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 15.8mΩ | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 76W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17.3nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 59A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie RD3P06BBKH | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 15.8mΩ | ||
Kanalform Udtømning | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 76W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17.3nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
ROHM MOSFET er udviklet til robuste applikationer, der kræver høj effektivitet og pålidelighed. Med en brydespænding på op til 100 V og en kontinuerlig afløbsstrøm på 59 A er denne enhed designet til krævende opgaver i bilindustrien og industrielle miljøer. Den har en kompakt DPAK/TO-252-pakke, som gør det nemt at integrere den i forskellige kredsløbsdesigns.
Velegnet til forskellige anvendelser, herunder bil- og industrielektronik
Pulserende afløbsstrøm på op til 118 A understreger alsidigheden i krævende miljøer
Udnytter Pd-fri plettering, der sikrer kompatibilitet med moderne produktionsprocesser
Relaterede links
- ROHM N-Kanal 59 A 100 V TO 252, AG096F AG096FPD3HRBTL
- Microchip N-Kanal 700 mA 500 V Depletion TO-252, DN2450 DN2450K4-G
- Microchip N-Kanal 500 mA 700 V Depletion TO-252, DN2470 DN2470K4-G
- Microchip N-Kanal 1 3 ben DN2625 DN2625K4-G
- STMicroelectronics N-Kanal 10 A 480 V Depletion DPAK (TO-252), STD STD13N60M6
- Microchip N-Kanal 200 mA 650 V Depletion TO-252, DN3765 DN3765K4-G
- DiodesZetex N-Kanal 59 A 100 V DPAK (TO-252) DMTH10H015SK3-13
- Infineon N-Kanal 59 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR2905ZTRPBF
