STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 10 A 480 V Udtømning, 3 Ben, TO-252, STD
- RS-varenummer:
- 202-4809
- Producentens varenummer:
- STD13N60M6
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 39,94
(ekskl. moms)
Kr. 49,925
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.640 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 7,988 | Kr. 39,94 |
| 50 - 245 | Kr. 7,72 | Kr. 38,60 |
| 250 - 495 | Kr. 7,614 | Kr. 38,07 |
| 500 + | Kr. 7,524 | Kr. 37,62 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 202-4809
- Producentens varenummer:
- STD13N60M6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 480V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | STD | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 380mΩ | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 92W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 13nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 10.1mm | |
| Længde | 6.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 480V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie STD | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 380mΩ | ||
Kanalform Udtømning | ||
Effektafsættelse maks. Pd 92W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 10.1mm | ||
Længde 6.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics N-kanal MDmesh M6 Power MOSFET i et DPAK hus har reduceret skiftetab. Den har også lavere RDS(on) pr. område i forhold til forrige generation.
100 % avalanche-testet
Zener-beskyttet
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10 A 480 V Udtømning TO-252, STD
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 650 V Forbedring TO-252, STD AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 80 A 35 V Forbedring TO-252, STD AEC-Q101
- Microchip Type N-Kanal 3 Ben DN2625
- Microchip Type N-Kanal 170 mA 700 V Udtømning TO-252, DN2470
- ROHM Type N-Kanal 59 A 100 V Udtømning TO-252, RD3P06BBKH AEC-Q101
- ROHM Type N-Kanal 80 A 40 V Udtømning TO-252, RD3G08CBLHRB AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 68 A 650 V Udtømning TO-247, ST