Microchip Type N-Kanal, RF MOSFET, 170 mA 700 V Udtømning, 3 Ben, TO-252, DN2470 Nej DN2470K4-G

Microchips transistor med lav tærskel for udarmningstilstand udnytter en avanceret vertikal DMOS-struktur og en velprøvet siliciumgate-fremstillingsproces. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og med den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud. Vertikal DMOS FET er velegnet til en bred vifte af skifte- og forstærkeranvendelser, hvor meget lav tærskelspænding, høj brydespænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige skiftehastigheder ønskes.

Høj indgangsimpedans