Microchip Type N-Kanal, RF MOSFET, 170 mA 700 V Udtømning, 3 Ben, TO-252, DN2470
- RS-varenummer:
- 598-941
- Producentens varenummer:
- DN2470K4-G
- Brand:
- Microchip
Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*
Kr. 20.096,00
(ekskl. moms)
Kr. 25.120,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 04. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | Kr. 10,048 | Kr. 20.096,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 598-941
- Producentens varenummer:
- DN2470K4-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Produkttype | RF MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 170mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 700V | |
| Serie | DN2470 | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 0.265 in | |
| Længde | 0.245in | |
| Standarder/godkendelser | RoHS-compliant | |
| Højde | 0.94in | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Produkttype RF MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 170mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 700V | ||
Serie DN2470 | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Kanalform Udtømning | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 0.265 in | ||
Længde 0.245in | ||
Standarder/godkendelser RoHS-compliant | ||
Højde 0.94in | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Microchips transistor med lav tærskel for udarmningstilstand udnytter en avanceret vertikal DMOS-struktur og en velprøvet siliciumgate-fremstillingsproces. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og med den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud. Vertikal DMOS FET er velegnet til en bred vifte af skifte- og forstærkeranvendelser, hvor meget lav tærskelspænding, høj brydespænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige skiftehastigheder ønskes.
Høj indgangsimpedans
Lav indgangskapacitans
Hurtige skiftehastigheder
Lav modstand ved tændt
Fri for sekundær nedbrydning
Lav indgangs- og udgangslækage
Relaterede links
- Microchip Type N-Kanal 3 Ben DN2625
- Microchip Type N-Kanal 170 mA 300 V Udtømning TO-92, DN2530
- Microchip Type N-Kanal 170 mA 400 V Udtømning TO-243, DN2540
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10 A 480 V Udtømning TO-252, STD
- ROHM Type N-Kanal 80 A 40 V Udtømning TO-252, RD3G08CBLHRB AEC-Q101
- ROHM Type N-Kanal 59 A 100 V Udtømning TO-252, RD3P06BBKH AEC-Q101
- Microchip Type N-Kanal 3 Ben LND150
- Infineon Type N-Kanal 170 A 75 V HEXFET