ROHM Type P-Kanal, MOSFET, 4 A -20 V Udtømning, 4 Ben, DFN1212-3, RV7C040BC
- RS-varenummer:
- 265-205
- Producentens varenummer:
- RV7C040BCTCR1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 25 enheder)*
Kr. 39,95
(ekskl. moms)
Kr. 49,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | Kr. 1,598 | Kr. 39,95 |
| 100 - 225 | Kr. 1,514 | Kr. 37,85 |
| 250 - 475 | Kr. 1,403 | Kr. 35,08 |
| 500 - 975 | Kr. 1,296 | Kr. 32,40 |
| 1000 + | Kr. 1,245 | Kr. 31,13 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 265-205
- Producentens varenummer:
- RV7C040BCTCR1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -20V | |
| Serie | RV7C040BC | |
| Emballagetype | DFN1212-3 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 63mΩ | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.5nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.1W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A | ||
Drain source spænding maks. Vds -20V | ||
Serie RV7C040BC | ||
Emballagetype DFN1212-3 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 63mΩ | ||
Kanalform Udtømning | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.5nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.1W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM MOSFET er designet til at levere exceptionel ydeevne i kompakte applikationer. Den unikke blyfri indpakning giver mulighed for overlegen varmeledning, hvilket gør den ideel til scenarier, der kræver effektiv varmeafledning. Produktet har en drain-source-spænding på -20V med en lav on-modstand, hvilket sikrer effektiv strømstyring.
Understøtter et bredt driftstemperaturområde for pålidelighed i forskellige miljøer
Fremragende lavinenergiklassificering sikrer robusthed under transiente forhold
Kompakte dimensioner letter integrationen i miniaturiserede kredsløb
Relaterede links
- ROHM Type P-Kanal 65 A 80 V Udtømning HSMT-8, RH
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben RV7
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben RV7
- Infineon Type P-Kanal FB50R07W2E3_B23
- ROHM 1 Type P-Kanal 15 A 40 V Udtømning HSMT-8, HT8KB6
- ROHM Type P-Kanal 27 A 60 V Udtømning HSMT-8AG, RQ3L270BKFRA AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 27 A 60 V Udtømning HSMT-8AG, RQ3L270BLFRA AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 27 A 40 V Udtømning HSMT-8AG, RQ3G270BKFRA AEC-Q101