onsemi Type P, Type N-Kanal, MOSFET, 192 A 1200 V Forbedring, 44 Ben, PIM44, NXH Nej NXH600B100H4Q2F2PG

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 1.744,19

(ekskl. moms)

Kr. 2.180,24

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 29. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 1.744,19

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
277-057
Producentens varenummer:
NXH600B100H4Q2F2PG
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type P, Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

192A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

NXH

Emballagetype

PIM44

Monteringstype

Snap-in-montering

Benantal

44

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

766nC

Gennemgangsspænding Vf

1.55V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

511W

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

ON Semiconductor Hybrid Three Channel Symmetric Boost Module har to 1000V, 200A IGBT'er og to 1200V, 60A SiC-dioder pr. kanal sammen med en NTC-termistor til temperaturovervågning. Modulet bruger trench med field stop-teknologi til høj effektivitet, hvilket reducerer koblingstab og systemets strømforbrug betydeligt. Dens design giver høj effekttæthed, hvilket gør den velegnet til krævende effektanvendelser, der kræver optimal ydelse og varmestyring.

Lavt induktivt layout

Lav pakkehøjde

Pb-fri

Halidfri og RoHS-kompatibel

Relaterede links