Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 1.2 kA 4500 V Udtømning, Bakke, FZ1200 Nej FZ1200R45HL4S7BPSA1

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
277-199
Producentens varenummer:
FZ1200R45HL4S7BPSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.2kA

Drain source spænding maks. Vds

4500V

Serie

FZ1200

Emballagetype

Bakke

Monteringstype

Chassis

Kanalform

Udtømning

Effektafsættelse maks. Pd

2400kW

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-40°C

Gennemgangsspænding Vf

2.95V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
HU
Infineons IGBT-modul er et IHV-B 4500 V, 1200 A 190 mm single switch IGBT-modul med Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode og isoleret AlSiC-baseplade. Den bedste løsning til dine industriapplikationer.

Høj effekttæthed

Til kompakte inverterdesigns

Standardiserede boliger

Relaterede links